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新世代元件: 我國碳化矽元件發展策略

新世代元件: 我國碳化矽元件發展策略

作者 : 楊雅嵐/ 江柏風

出版社 : 經濟部ITIS專案辦公室

※ ※ 無庫存

無庫存

定價 : NT 4,500

售價 : NT4,500

內容簡介


在2008年至2009之際,全球經濟正面臨金融風暴的席捲,而此同時,全球的氣候也正面臨嚴峻的挑戰,層出不窮的各種氣候異象,使得全球產業由生產製造端到消費端均開始密切關注節能環保的相關議題。根據國際能源署(International Energy Agency;IEA)所發布的2009年世界能源展望(World Energy Outlook;WEO)資料中指出,由於全球溫室氣體排放來源中65%來自能源的生產、傳輸與使用,能源是全球溫室氣體排放的主要來源,也是造成全球天候異常的元兇,從能源部分的相關改善措施下手刻不容緩,而目前所採取的方案則是集中火力於低碳科技上的相關投資。

隨著環保意識的抬頭,全球半導體產業則聚焦在提高產品效率、降低功耗、減少材料使用等相關技術之投入,以達到CO2排放減量之目的。另一方面,各國政府大力推動更強調節能環保訴求的電動車輛、再生能源系統發展,帶出更高規格的元件需求。碳化矽(Silicon Carbide;SiC)元件則由於具備高導熱特性,加上其材料的寬能隙(Wide Bandgap)特性可耐高壓、可承受大電流,適合應用在高溫操作的功率元件領域,而在近期受到較為熱切的關注。

本研究透過近期碳化矽元件發展狀態,了解碳化矽元件主要應用領域及主要應用系統對元件之需求趨勢,並就目前全球碳化矽供應狀態進行一全面整理研究。此外針對日本、歐洲、美國與中國大陸對於碳化矽元件及相關應用系統之發展進行策略盤點,以為我國發展策略之參考;最後則回顧我國半導體產業發展,奠基我國產業優勢提出在碳化矽元件上的發展策。

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